Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference (한국진공학회:학술대회논문집)
- 2015.08a
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- Pages.176.1-176.1
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- 2015
Nano-Indenter 측정 결과를 Weibull 분포로 해석한 ACP 플라즈마 소스의 플라즈마 에칭 조건에 따른 균일도 연구
- Kim, Su-In ;
- Lee, Jae-Hun ;
- Kim, Hong-Gi ;
- Kim, Sang-Jin (Adaptive Plasma Technology Corporation (APTC)) ;
- Seo, Sang-Il (Adaptive Plasma Technology Corporation (APTC)) ;
- Hwang, Byeong-Hyeon (Adaptive Plasma Technology Corporation (APTC)) ;
- O, Sang-Ryong (Adaptive Plasma Technology Corporation (APTC)) ;
- Kim, Nam-Heon (Adaptive Plasma Technology Corporation (APTC)) ;
- Lee, Chang-U
- 김수인 (국민대학교 나노전자물리학과) ;
- 이재훈 (국민대학교 나노전자물리학과) ;
- 김홍기 (국민대학교 나노전자물리학과) ;
- 김상진 ;
- 서상일 ;
- 황병현 ;
- 오상룡 ;
- 김남헌 ;
- 이창우 (국민대학교 나노전자물리학과)
- Published : 2015.08.24
Abstract
본 연구는 플라즈마 건식 식각 후 박막의 물성 특성 변화 측정에 Nano-Indentation 분석 기법을 도입하였으며, 식각 후 박막 표면 강도를 nano 영역에서 측정하여 박막 표면의 damage 분석에 적용하여 물리적인 해석을 시도하였다. 하지만 기판의 대면적화로 인하여 반도체 공정에 사용되는 기판은 300 mm로 증가하였고 이로 인하여 플라즈마 건식 식각에서 대면적에 대한 균일도 향상 연구를 진행 중에 있다. 이 연구에서는 플라즈마 건식 식각 후 박막의 균일도를 Nano-indenter 측정 결과를 기반으로 Weibull 분포 해석을 통하여 정량적인 균일도를 측정하고자 하였다. 플라즈마 건식 식각을 위하여 플라즈마 소스는 Adaptively Coupled Plasma (ACP)를 사용하였고 식각 후 TEOS