Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference (한국표면공학회:학술대회논문집)
- 2014.11a
- /
- Pages.248-249
- /
- 2014
Effects of Sn doping on GZO:Sn thin film transistor
Sn 도핑 농도에 따른 GZO:Sn TFT의 전기적 특성
- Yang, Ji-Ung ;
- Sin, Jae-Heon ;
-
Kim, Gyeong-Hyeon
;
-
Park, Rae-Man
;
- Song, Chang-U ;
-
Hong, Chan-Hwa
;
- Seo, U-Hyeong ;
- Gwon, Hyeok-In ;
-
Jeong, U-Seok
- 양지웅 (중앙대학교 전기전자공학과) ;
- 신재헌 (한국전자통신연구원 나노인터페이스 소자 연구실) ;
-
김경현
(한국전자통신연구원 나노인터페이스 소자 연구실) ;
-
박래만
(한국전자통신연구원 나노인터페이스 소자 연구실) ;
- 송창우 (한국전자통신연구원 나노인터페이스 소자 연구실) ;
-
홍찬화
(한국전자통신연구원 나노인터페이스 소자 연구실) ;
- 서우형 (한국전자통신연구원 나노인터페이스 소자 연구실) ;
- 권혁인 (중앙대학교 전기전자공학과) ;
-
정우석
(한국전자통신연구원 나노인터페이스 소자 연구실)
- Published : 2014.11.20
Abstract
본 연구에서는 GZO:Sn에서 Sn의 함유량에 따른 트랜지스터 특성 변화를 알아보았다. 그 결과 GZO:Sn=200W:9W 의 소자에서 가장 좋은 트랜지스터 특성을 얻을 수 있었다.
Keywords