Synthesis of Aligned Te Nanoribbons by Lithographically Patterned Nanowire Electrodeposition Technique

리쏘그라피 패턴 전해증착법에 의해 얼라인된 Te 나노리본 합성

  • Jeong, Hyeon-Seong ;
  • Myung, Nosang V. (University of California, Riverside, Chemical & Environmental Engineering)
  • 정현성 (한국세라믹기술원 기초소재융합본부) ;
  • Published : 2014.11.20

Abstract

마이크로 패턴된 Au 전극사이에 얼라인된 Tellurium (Te) 나노리본들이 의도한 모양과 배열방식을 가지고 리쏘그래피 패턴 전해증착 (Lithographically patterned nanowier electrodepositon, LPNE) 방법에 의해 4인치 Si wafer 배치로 합성되었다. 합성된 Te 나노리본은 수 센티미터의 길이를 가지고, 그 두께와 폭 역시 작업 전극으로 사용되는 Si wafer위에 증착된 Ni의 두께와 전해증착 시간에 의해 쉽게 제어될 수 있다. $3{\mu}m$의 간격을 갖는 Au 전극 사이에 얼라인된 두께 ~100nm의 Te 나노리본들은 전해증착에 의해 그 폭이 제어되었고, 각각의 다른 폭을 갖는 증착된 하나의 Te 나노리본들의 IV 및 FET 측정을 통하여 나노리본 폭의 변화에 따른 전기적 특성 (비저항, FET 이동도 및 FET 캐리어 농도)이 평가되었다.

Keywords