Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference (한국진공학회:학술대회논문집)
- 2014.02a
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- Pages.340.2-340.2
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- 2014
RF Magnetron Spurrering법으로 증착한 IGZO 박막의 특성과 IGZO TFT의 전기적 특성에 미치는 RF Power의 영향
- Jung, Yeon-Hoo (School of Materials Science and Engineering, KyungPook National University) ;
- Kim, Se-Yun (School of Materials Science and Engineering, KyungPook National University) ;
- Jo, Kwang-Min (School of Materials Science and Engineering, KyungPook National University) ;
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Lee, Joon-Hyung
(School of Materials Science and Engineering, KyungPook National University) ;
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Kim, Jeong-Joo
(School of Materials Science and Engineering, KyungPook National University) ;
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Heo, Young-Woo
(School of Materials Science and Engineering, KyungPook National University)
- Published : 2014.02.10
Abstract
최근 비정질 산화물 반도체는 가시광 영역에서의 투명도와 낮은 공정 온도, 그리고 높은 Field-effect mobility로 인해 Thin film transistors의 Active channel layer의 재료로 각광 받고 있다. ZnO, IZO, IGO, ITGO등의 많은 산화물 반도체들이 TFT의 채널층으로의 적용을 위해 활발히 연구되고 있으며, 특히 비정질 IGZO는 비정질임에도 불구하고 Mobility가