Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference (한국진공학회:학술대회논문집)
- 2014.02a
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- Pages.300.2-300.2
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- 2014
Terahertz Characteristics of InGaAs/InAlAs MQW with Different Excitation Laser Source
- Park, Dong-U ;
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No, Sam-Gyu
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- Ji, Yeong-Bin ;
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O, Seung-Jae
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Seo, Jin-Seok
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Jeon, Tae-In
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Kim, Jin-Su
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Kim, Jong-Su
- 박동우 (한국표준과학연구원, 나노소재평가센터) ;
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노삼규
(한국표준과학연구원, 나노소재평가센터) ;
- 지영빈 (연세대학교, 연의생공연 메디컬 융합연구소) ;
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오승재
(연세대학교, 연의생공연 메디컬 융합연구소) ;
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서진석
(연세대학교, 연의생공연 메디컬 융합연구소) ;
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전태인
(한국해양대학교, 전자공학과) ;
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김진수
(전북대학교, 신소재공학부) ;
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김종수
(영남대학교, 물리학과)
- Published : 2014.02.10
Abstract
테라헤르쯔(terahertz : THz)파는 0.1~10 THz 의 범위로 적외선과 방송파 사이에 광대역 주파수 스펙트럼을 차지하고 있으며 직진성, 투과성, 그리고 낮은 에너지(meV)를 가지고 있어 비 파괴적이고 무해한 장점을 지니고 있다. Ti:sapphire laser와 같은 femto-pulse source 등이 많은 발전이 되어 현재 많은 연구와 발전이 이루어지고 있다. femto-pulse source를 이용한 THz 응용에서는 높은 저항, 큰 전자이동도, 그리고 아주 짧은 전하수명의 기판을 요구하는데 저온에서 성장한(low-temperature grown : LT) InGaAs는 격자 내에 Gallium 자리에 Arsenic이 치환 하면서 AsGa antisite가 발생하여 전하수명을 짧아지는 것을 응용하여 가장 많이 이용되고 있다. 본 연구에서는 보다 높은 저항을 얻기 위하여 molecular beam epitaxy를 이용하여 semi-insulating InP:Fe 기판위에 격자 정합된 LT-InGaAs:Be/InAlAs multi quantum well (MQW)를 well과 barrier를 가각