Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference (한국진공학회:학술대회논문집)
- 2014.02a
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- Pages.291.1-291.1
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- 2014
아연을 코팅한 테프론 기판 위에 성장된 산화아연 박막의 후열처리 효과
- Kim, Ik-Hyeon ;
- Park, Hyeong-Gil ;
- Kim, Yeong-Gyu ;
- Nam, Gi-Ung ;
- Yun, Hyeon-Sik ;
- Park, Yeong-Bin ;
- Mun, Ji-Yun ;
- Park, Seon-Hui ;
- Kim, Dong-Wan ;
- Kim, Jin-Su ;
- Kim, Jong-Su ;
- Im, Jae-Yeong
- 김익현 (인제대학교 나노공학부) ;
- 박형길 (인제대학교 나노시스템공학과) ;
- 김영규 (인제대학교 나노공학부) ;
- 남기웅 (인제대학교 나노시스템공학과) ;
- 윤현식 (인제대학교 나노시스템공학과) ;
- 박영빈 (인제대학교 나노공학부) ;
- 문지윤 (인제대학교 나노공학부) ;
- 박선희 (인제대학교 나노공학부) ;
- 김동완 (인제대학교 나노공학부) ;
- 김진수 (전북대학교 신소재공학과) ;
- 김종수 (영남대학교 물리학과) ;
- 임재영 (인제대학교 나노공학부)
- Published : 2014.02.10
Abstract
산화아연 박막은 아연이 코팅된 테프론 기판 위에 졸-겔 스핀코팅 방법을 이용하여 각기 다른 후열처리 온도에서 제작되었다. 산화아연 박막의 후열처리 온도에 따른 구조적, 광학적 특성은 field emission scanning electron microscopy (FE-SEM), X-ray diffractometer, and photoluminescence spectroscope를 이용하여 분석하였다. 후열처리 온도를 달리하여 성장한 모든 산화아연 박막은 수지상(dendrite) 구조를 가지고 있으며, 이 수지상 구조 위에 약 20 nm의 산화아연 입자들이 성장되었다. 후열처리 온도가 증가함에 따라 c-축 배향성이 우세하게 나타났으며, 인장응력도 증가하였다. 후열처리 온도