Proceedings of the KIPE Conference (전력전자학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Power Electronics (전력전자학회)
권호 표지

Comparative Loss Analysis of Si MOSFET and GaN FET Power System

Si MOSFET vs. GaN FET Power System의 손실 분석

  • Ahn, Jung-Hoon (College of Information & Communication Engineering, Sungkyunkwan University) ;
  • Lee, Byoung-Kuk (College of Information & Communication Engineering, Sungkyunkwan University) ;
  • Kim, Nam-Jun (Department of Electrical Engineering, Daejin University) ;
  • Kim, Jong-Soo (Department of Electrical Engineering, Daejin University)
  • 안정훈 (성균관대학교 정보통신대학) ;
  • 이병국 (성균관대학교 정보통신대학) ;
  • 김남준 (대진대학교 전기공학과) ;
  • 김종수 (대진대학교 전기공학과)
  • Published : 2013.11.15
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Abstract

본 논문에서는 기존의 Si MOSFET을 사용한 전력시스템과 비교하여 WBG(Wide Band Gap)특성을 갖는 GaN(Gallium Nitride) FET을 사용한 전력시스템을 비교 분석한다. 대표성을 갖는 평가가 가능하도록 가장 일반적인 FB 구조를 대상으로 Si MOSFET과 GaN FET을 각각 적용하고, 다양한 기준 조건에서 효율과 전력 밀도 등 성능을 비교한다. 전체 과정은 수학적 계산 및 시뮬레이션으로 검증한다.

Keywords