한국진공학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference)
- 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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- Pages.423-423
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- 2013
타원편광분석법을 이용한 $In_xAl_{1-x}P$ 박막의 광물성 연구
- 변준석 (경희대학교 물리학과 나노광물성연구실) ;
- 황순용 (경희대학교 물리학과 나노광물성연구실) ;
- 김태중 (경희대학교 물리학과 나노광물성연구실) ;
- 김영동 (경희대학교 물리학과 나노광물성연구실) ;
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- 윤재진 (한국과학기술연구원 광전융합시스템연구단) ;
- 이은혜 (한국과학기술연구원 광전융합시스템연구단) ;
- 배민환 (한국과학기술연구원 광전융합시스템연구단) ;
- 송진동 (한국과학기술연구원 광전융합시스템연구단)
- Byeon, Jun-Seok ;
- Hwang, Sun-Yong ;
- Kim, Tae-Jung ;
- Kim, Yeong-Dong ;
- Aspnes, D.E. ;
- Chang, Y.C. (Research Center for Applied Sciences, Academia Sinica) ;
- Yun, Jae-Jin ;
- Lee, Eun-Hye ;
- Bae, Min-Hwan ;
- Song, Jin-Dong
- 발행 : 2013.02.18
초록
3~5 족 반도체 물질인 phosphorus 화합물 중 대표적인 InAlP 삼종화합물은 작은 굴절률, 큰 밴드갭, GaAs와 lattice 일치 때문에 큰 주목을 받고 있고, p-type high electron mobility transistors(p-HEMT), laser diodes 등의 고속 전자소자 및 광전 소자에 응용이 가능한 매우 중요한 물질이다. 최적의 소자 응용기술을 위해서는, 정확한 광물성 연구가 수행되어야 하지만 InxAl1-xP 화합물에 대한 유전율 함수 및 전자전이점 등의 연구는 미흡한 실정이다. 이에 본 연구에서는 1.5~6.0 eV 에너지 영역에서 각기 다른 In 조성비를 갖는 InxAl1-xP 화합물의 가유전율 함수