EDISON SW 활용 경진대회 논문집 (Proceeding of EDISON Challenge)
- 제2회(2013년)
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- Pages.234-237
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- 2013
나노선 구조를 갖는 쇼트키 장벽 MOSFET과 MOSFET의 특성 비교
초록
본 논문에서는 실리콘 나노선 구조를 갖는 모스펫 (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors, MOSFETs)과 쇼트키 장벽 트랜지스터 (Schottky-Barrier(SB) MOSFETs, SB-MOSFETs)의 전기적인 특성을 양자역학적 시뮬레이션 계산을 통해 비교하였다. 쇼트키 장벽 높이 (Schottky Barrier,
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