Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference (한국표면공학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Surface Engineering (한국표면공학회)
권호 표지

Surface energy modification of SiOxCyHz film using low temperature PECVD by controlling the plasma process for HMDS precursor with hydrogen gas

수소 기체와 HMDS 프리커서의 저온 PECVD공정을 통한 실리콘옥사이드 박막의 표면에너지 개질

  • Lee, Jun-Seok (성균관대학교 신소재공학과, 플라즈마 나노 신소재 연구소) ;
  • Jin, Su-Bong (성균관대학교 신소재공학과, 플라즈마 나노 신소재 연구소) ;
  • Choe, Yun-Seok (성균관대학교 신소재공학과, 플라즈마 나노 신소재 연구소) ;
  • Choe, In-Sik (성균관대학교 신소재공학과, 플라즈마 나노 신소재 연구소) ;
  • Han, Jeon-Geon (성균관대학교 신소재공학과, 플라즈마 나노 신소재 연구소)
  • Published : 2012.11.08
Download PDF
⟨ Previous Next ⟩

Abstract

표면의 젖음성은 어플리케이션의 매우 중요한 점으로, 이것은 표면에너지와 표면의 조도에 의해 결정된다. 표면의 젖음성을 낮추기 위하여 저온 PECVD 공정을 통해 초소수성 박막을 만들었다. $SiO_xC_yH_z$ 필름을 만들기 위하여 RF power을 사용하였고, HMDS (hexamethyl-disilazane) precursor과 함께 수소 기체를 통해 증착하였다. 이 실험에서는 수소와 RF power를 변수로 진행하였고, 이것은 소수성 박막의 표면에너지를 변화시켰다. 필름을 합성한 후 contact angle measurement 및 AFM을 사용해 표면에너지와 표면조도를 관찰하였다. 또한 필름의 화학적 결합을 알기 위해 FT-IR을 이용하였다. 여기에서 표면의 에너지는 표면의 조도와 화학적 결합상태에 의해서 영향을 받았음을 알 수 있었다.

Keywords