Reduced graphene oxide를 이용한 전계효과 트랜지스터의 광전기적 특성

Electrical and Photo-Response Properties of Reduced Graphene Oxide Field-Effect Transistor

  • 이대영 (성균관대학교 나노과학기술원) ;
  • 민미숙 (삼성 성균관대 그래핀 센터) ;
  • 라창호 (성균관대학교 나노과학기술원) ;
  • 이효영 (삼성 성균관대 그래핀 센터) ;
  • 유원종 (성균관대학교 나노과학기술원)
  • 발행 : 2012.05.31

초록

Reduced graphene oxide (rGO) 물질을 사용하여 전계효과 트랜지스터를 제작하였고 이의 광전기적 특성을 펄스 레이저와 진공 저온 측정을 통하여 분석하였다. 이를 통하여 rGO 소자의 광소자로써의 이용 가능성에 대하여 고찰하였다.

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