비정질 FeNiSiB 층을 자유층에 삽입한 이중 자기터널접합의 전압의존성 특성

• Kim, Do-Gyun ;
• Jo, Ji-Ung ;
• Jeon, Byeong-Seon ;
• Sin, Gyeong-Ho ;
• Isogami, Shinji (Department of Electronic Engineering, Tohoku University) ;
• Tsunoda, Masakiyo (Department of Electronic Engineering, Tohoku University) ;
• Takahashi, Migaku (Department of Electronic Engineering, Tohoku University) ;
• Kim, Yeong-Geun

• 김도균 (고려대학교 신소재공학과) ;
• 조지웅 (고려대학교 신소재공학과) ;
• 전병선 (고려대학교 신소재공학과) ;
• 신경호 (한국과학기술연구원) ;
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• 김영근 (고려대학교 신소재공학과)

• Published : 2012.11.29

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