Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference (한국정보통신학회:학술대회논문집)

The Korea Institute of Information and Commucation Engineering (한국정보통신학회)
권호 표지

Dependence of Conduction Path for Device Parameter of DGMOSFET Using Series

급수를 이용한 DGMOSFET에서 소자 파라미터에 대한 전도중심 의존성

  • Han, Jihyung (Department of Electronic Eng., Kunsan National University) ;
  • Jung, Hakkee (Department of Electronic Eng., Kunsan National University) ;
  • Jeong, Dongsoo (Department of Electronic Eng., Kunsan National University) ;
  • Lee, Jongin (Department of Electronic Eng., Kunsan National University) ;
  • Kwon, Ohshin (Department of Electronic Eng., Kunsan National University)
  • Published : 2012.10.26
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Abstract

In this paper, we have been analyzed conduction path by device parameter of double gate(DG) structure that have top gate and bottom gate. The Possion equation is used to analytical. The change of conduction path have been investigated for various channel lengths, channel thickness and gate oxide thickness using this model, given that these parameters are very important in design of DGMOSFET. The optimum channel doping concentration is determined as the deviation of conduction path is considered according to channel doping concentration.

본 연구에서는 상단게이트와 하단게이트를 갖는 (Double gate ; DG) MOSFET 구조의 소자 파라미터에 따른 전도중심을 분석하였다. 분석학적 모델을 유도하기 위하여 포아송 방정식을 이용하였다. 본 연구에서 제시한 모델을 사용하여 DGMOSFET 설계시 중요한 채널길이, 채널두께, 그리고 게이트 산화막 두께 등의 요소 변화에 대한 전도중심의 변화를 관찰하였다. 또한 채널 도핑농도에 따른 전도중심의 변화를 고찰함으로써 DGMOSFET의 타당한 채널도핑농도를 결정하였다.

Keywords