Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference (한국진공학회:학술대회논문집)
- 2012.08a
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- Pages.161-161
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- 2012
Terahertz Generation and Detection Characteristics of InGaAs
- Park, Dong-U ;
- Han, Im-Sik ;
- Kim, Chang-Su ;
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No, Sam-Gyu
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Ji, Yeong-Bin
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Jeon, Tae-In
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- Lee, Gi-Ju ;
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Kim, Jin-Su
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Kim, Jong-Su
- 박동우 (한국표준과학연구원 나노소재평가센터) ;
- 한임식 (한국표준과학연구원 나노소재평가센터) ;
- 김창수 (한국표준과학연구원 나노소재평가센터) ;
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노삼규
(한국표준과학연구원 나노소재평가센터) ;
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지영빈
(한국해양대학교 전자공학과) ;
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전태인
(한국해양대학교 전자공학과) ;
- 이기주 (충남대학교 물리학과) ;
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김진수
(전북대학교 신소재공학부) ;
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김종수
(영남대학교 물리학과)
- Published : 2012.08.20
Abstract
본 연구에서는 InGaAs을 이용한 테라헤르쯔(THz) 발생과 검출 특성을 GaAs에 의한 특성과 비교, 조사하였다. 고온성장(HTG,