Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference (한국진공학회:학술대회논문집)
- 2012.02a
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- Pages.367-367
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- 2012
Sputter방식으로 형성된 IGZO박막의 Ar 유량 변화에 따른 특성 연구
- Published : 2012.02.08
Abstract
TTFT에 투명반도체로 사용되고 있는 IGZO 박막의 특성을 조사하였다. IGZO박막은 비정질임에도 불구하고 높은 이동도를 가지는 것으로 알려져 있다. 본 실험에서는 RF magnetron sputtering법을 이용하여 Ar Gas 유량 변화에 따른 IGZO 박막을 유리 기판 위에 제작 하였고 투명반도체의 구조적, 광학적, 전기적 특성을 조사하였다. 소결된 타겟 으로는 In:Ga:ZnO를 각각 1:1:2mol%의 조성비로 혼합하여 이용하였으며,