Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference (한국진공학회:학술대회논문집)
- 2012.02a
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- Pages.340-340
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- 2012
Double Layer (Wet/CVD $SiO_2$ )의 Interface Trap Density에 대한 연구
- Published : 2012.02.08
Abstract
최근 MOS 소자들이 게이트 산화막을 Mono-layer가 아닌 Multi-Layer을 사용하는 추세이다. Bulk와 High-k물질간의 Dangling Bond를 줄이기 위해 Passivation 층을 만드는 것을 예로 들 수 있다. 이러한 Double Layer의 쓰임이 많아지면서 계면에서의 Interface State Density의 영향도 커지게 되면서 이를 측정하는 방법에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는