Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference (한국진공학회:학술대회논문집)
- 2011.08a
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- Pages.266-267
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- 2011
n-type GaN 위에 형성된 Ti/Al/Mo/Au 및 Ti/Al/Ni/Au 오믹 접합의 isolation 누설전류 분석
- Hwang, Dae ;
- Ha, Min-U ;
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No, Jeong-Hyeon
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- Choe, Hong-Gu ;
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Song, Hong-Ju
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Lee, Jun-Ho
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- Park, Jeong-Ho ;
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Han, Cheol-Gu
- 황대 (전자부품연구원 화합물반도체 연구센터) ;
- 하민우 (전자부품연구원 화합물반도체 연구센터) ;
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노정현
(전자부품연구원 화합물반도체 연구센터) ;
- 최홍구 (전자부품연구원 화합물반도체 연구센터) ;
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송홍주
(전자부품연구원 화합물반도체 연구센터) ;
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이준호
(전자부품연구원 화합물반도체 연구센터) ;
- 박정호 (고려대학교 전기전자전파공학부) ;
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한철구
(전자부품연구원 화합물반도체 연구센터)
- Published : 2011.08.17
Abstract
질화갈륨(GaN)은 높은 전자이동도 및 높은 항복전계를 가지며 낮은 온저항으로 인하여 에너지효율이 우수하기 때문에 고출력 전력소자 분야에서 많은 관심을 받고 있다. GaN을 이용한 고출력 전력소자의 경우 상용화 수준에 근접할 만한 기술적 진보가 있었으나, 페르미 레벨 고정(Fermi-level pinning) 현상, 소자의 누설전류 등 아직 해결되어야 할 문제를 갖고 있다. 본 연구에서는 실리콘 기판 위에 성장된 GaN 에피탁시를 활용한 고출력 전력소자의 누설전류를 억제시키기 위해 오믹 접합 중 Au의 상호확산을 억제하는 중간층 금속(Mo or Ni)을 변화시켰으며 오믹 열처리 온도에 따른 특성을 비교 연구하였다.