한국표면공학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference)

한국표면공학회 (The Korean Institute of Surface Engineering)
권호 표지

300 mm 웨이퍼용 식각 장비에서 병렬 안테나의 전류비 조절에 의한 식각 균일도 측정

Etch rate uniformity control by current ratio of dual coil at 300 mm wafer etcher

  • 홍광기 (군산대학교 신소재공학과, 플라즈마 소재응용 센터) ;
  • 최지성 (군산대학교 신소재공학과, 플라즈마 소재응용 센터) ;
  • 양원균 (군산대학교 신소재공학과, 플라즈마 소재응용 센터) ;
  • 주정훈 (군산대학교 신소재공학과, 플라즈마 소재응용 센터)
  • 발행 : 2011.05.19
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초록

Dual coil을 사용하는 상용 AMAT DPS II 300 mm Centura 장비의 antenna의 전류비를 조절하여 $SiO_2$의 식각 균일도를 평가하였다. Inner turn과 outer turn의 흐르는 전류비를 분배 capacitor로 조절하여 16.9 %의 이온 전류 밀도 분포를 확인하였고, 투입 전력에 따라 200 W에서 12 %, 800 W에서 9 %로 점차 감소하는 경향을 확인하였다. 이때 300 mm wafer의 반지름 방향으로의 식각 균일도는 3 %로 측정되었고, FRC (flow ratio control)는 0.5에서 가장 균일한 결과를 얻었다.

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