Aluminum Thin Film Capacitor Using Micro Pore Patterning and Electroless Ni-P plating

  • 이창형 (성균관대학교 신소재공학과) ;
  • ;
  • 김태유 (성균관대학교 신소재공학과) ;
  • 서수정 (성균관대학교 신소재공학과)
  • Published : 2011.05.19

Abstract

알루미늄 박막 커패시터 제작을 위해 선택적인 알루미늄 etching과 anodizing을 이용한 유전체($Al_2O_3$) 형성, 전극층 형성을 위한 무전해 Ni-P 도금을 진행하였다. $5{\mu}m$ patterns/$10{\mu}m$ space를 가지는 dot patterns을 알루미늄 기판에 patterning하고, 이를 각각의 전류밀도 조건에서 etching한 후, barrier type anodizing을 진행하였다. 유전체에 전극층은 무전해 Ni-P 도금을 통해 형성하였으며, 이렇게 제작된 알루미늄 박막 커패시터 특성을 평가하였다.

Keywords