Neural network modeling of SiN refractive index deposited using a pulsed plasma

펄스드 플라즈마를 이용하여 증착한 SiN 박막 굴절률의 신경망 모델링

펄스드 플라즈마를 이용하여 실리콘 나이트라이드를 증착 하였다. 소스전력과 duty ratio의 변화에 따른 이온에너지와 굴절률을 실험적으로 고찰하였으며, duty ratio의 감소에 따라 굴절률이 감소하였다. 이온에너지변수의 굴절률에의 영향은 신경망 모델을 개발하여 살펴보았다.