대한전기학회:학술대회논문집 (Proceedings of the KIEE Conference)

대한전기학회 (The Korean Institute of Electrical Engineers)
권호 표지

HD-PECVD법으로 제작한 SiN 박막의 특성

Characteristics of SiN Thin Film prepared by HD-PECVD

  • 발행 : 2011.07.20
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초록

박막트랜지스터(Thin Film Transistor: TFT)의 게이트 절연층 에서는 박막의 전계강도, 고유전율 및 우수한 표면 특성이 요구된다. HD-PECVD(High Density - Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)를 이용하여 $NH_3$ 유량 및 기판 온도를 변화시키면서 SiN 박막을 제작하고, 표면특성을 AFM 으로, CONTACT ANGLE로 접촉각을 측정하여 Young's Equation 으로 Surface Energy를 계산하였고 전기적 특성은 MIM 구조를 제작하고 C-V 측정을 하여 조사하였다.

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