Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference (한국진공학회:학술대회논문집)
- 2011.02a
- /
- Pages.150-151
- /
- 2011
MOCVD를 이용한 자발성장 InAs 양자점의 적층 성장 시 발생하는 파장변화량 제어
- Choe, Jang-Hui ;
- An, Seong-Su ;
- Yu, Su-Gyeong ;
- Lee, Jong-Min ;
- Park, Jae-Gyu ;
- Lee, Dong-Han ;
- Jo, Byeong-Gu ;
- Han, Won-Seok
- 최장희 (충남대학교 물리학과) ;
- 안성수 (충남대학교 물리학과) ;
- 유수경 (충남대학교 물리학과) ;
- 이종민 (충남대학교 물리학과) ;
- 박재규 (충남대학교 물리학과) ;
- 이동한 (충남대학교 물리학과) ;
- 조병구 (한국전자통신연구원) ;
- 한원석 (한국전자통신연구원)
- Published : 2011.02.09
Abstract
양자점 Laser Diode(LD)는 낮은 문턱전류, 높은 미분 이득을 갖으며 또한 온도변화에도 안정적이기 때문에 광통신분야에서 광원으로 양자점 LD를 사용하기 위한 연구가 계속되고 있다. 양자점은 fill factor가 낮기 때문에 양자점의 밀도를 높이거나 양자점을 적층 성장하여 fill factor를 높인다. 그러나 양자점을 적층 성장하면 각 층간의 응력, 수직적 결합, 전기적인 결합이 생기며 이는 양자점의 전기적, 광학적 특성에 영향을 미친다. 본 연구에서는 metal organic chemical vapor deposition (MOCVD)을 이용하여 InP기판 위에 자발성장 법으로 InAs 양자점을 다주기 성장하였으며 photoluminescence (PL)을 이용하여 광학적 특성을 분석하였다. precursor는 trimethylindium (TMI), trimethylgalium (TMGa),