Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference (한국진공학회:학술대회논문집)
- 2011.02a
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- Pages.89-89
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- 2011
Au Deposition on Amorphous Ga-In-Zn-O (Gallium-Indium-Zinc-Oxide) Film
- Gang, Se-Jun ;
- Yu, Han-Byeol ;
- Baek, Jae-Yun ;
- Thakur, Anup ;
- Kim, Hyeong-Do ;
- Sin, Hyeon-Jun ;
- Jeong, Jae-Gwan ;
- Lee, Jae-Cheol ;
- Lee, Jae-Hak
- 강세준 (포항공과대학교 물리학과) ;
- 유한별 (포항공과대학교 물리학과) ;
- 백재윤 (포항가속기연구소) ;
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- 김형도 (포항가속기연구소) ;
- 신현준 (포항가속기연구소) ;
- 정재관 (삼성종합기술원) ;
- 이재철 (삼성종합기술원) ;
- 이재학 (삼성종합기술원)
- Published : 2011.02.09
Abstract
a-GIZO(비정질 Ga-In-Zn-O)박막은 유연하며 광학적으로 투명하고 높은 전자의 이동도를 갖는 반도체적 특성을 갖기 때문에 차세대 display분야에서 TFT(Thin-Film-Transistor)의 high speed active-matrix layer로써 각광을 받고 있다. 이 물질의 표면은 환경 및 표면처리에 매우 민감하며 [1,2], 이 표면에 metal이 증착되는 경우에도, 선행 연구에 의하면, 다양한 chemical state가 나타남을 알 수 있었다. 이것은 metal의 증착에 따라 metal과 a-GIZO 사이의 contact 저항이 달라짐을 의미한다. 우리는 a-GIZO 박막 위에 Au를 단계적으로 증착시키면서, Au coverage 증가에 따른 core-level과 valence에서의 x-ray photoelectron spectra의 변화를 살펴봄으로써 a-GIZO박막과 Au의 계면에서 일어나는 chemical state의 변화를 알 수 있었다. 특히, Au deposition의 전 처리과정으로써 Ne ion sputtering을 두 단계로 다르게 하여 a-GIZO의 표면환경에 따른 Au 증착의 영향을 살펴보았다.