$Cu_2O$ p-type oxide-semiconductor film

$Cu_2O$ p-형 산화물반도체 박막

  • Song, Byeong-Jun (Department of electrical & robotic engineering Soonchunhyang University) ;
  • Lee, Ho-Nyeon (Department of electrical & robotic engineering Soonchunhyang University)
  • 송병준 (순천향대학교 공과대학 전기 로봇공학과) ;
  • 이호년 (순천향대학교 공과대학 전기 로봇공학과)
  • Published : 2010.11.12

Abstract

Cuprous oxide ($Cu_2O$)를 기초로 하여 산화 박막 트랜지스터에 대하여 연구를 하였다. 일정한 두께의 cuprous oxide ($Cu_2O$) 박막을 조건별로 열처리 공정을 하고 그에 따른 변화를 측정을 하였다. 그 측정한 결과 중 가장 좋은 열처리 조건으로 열 증착 방식(Vacuum Thermal Evaporation)을 사용하여 cuprous oxide ($Cu_2O$) 비정질 산화 박막 트랜지스터를 제작 및 측정했다.

Keywords