Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers (한국전기전자재료학회)
권호 표지

ZnO NW-based ultraviolet photodiodes fabricated by dielectrophoresis technique

교류 전기장 배열 기법에 의해 제작된 ZnO 나노선 기반의 자외선 광다이오드

  • Kim, Kwang-Eun (Department of Electrical Engineering, Korea University) ;
  • Kang, Jeong-Min (Department of Electrical Engineering, Korea University) ;
  • Lee, Myeong-Won (Department of Electrical Engineering, Korea University) ;
  • Yoon, Chang-Joon (Department of Electrical Engineering, Korea University) ;
  • Jeon, Young-In (Department of Electrical Engineering, Korea University) ;
  • Kim, Sang-Sig (Department of Electrical Engineering, Korea University)
  • 김광은 (고려대학교 전기전자전파공학과) ;
  • 강정민 (고려대학교 전기전자전파공학과) ;
  • 이명원 (고려대학교 전기전자전파공학과) ;
  • 윤창준 (고려대학교 전기전자전파공학과) ;
  • 전영인 (고려대학교 전기전자전파공학과) ;
  • 김상식 (고려대학교 전기전자전파공학과)
  • Published : 2010.06.16
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Abstract

교류 전기장에 의해 배열된 ZnO 나노선 기반의 광다이오드를 제작하고 자외선 광특성을 조사하였다. ZnO 나노선은 dielectrophoresis (DEP) force와 토크 (T)에 의하여 두 전극사이에 배열되며, silicon (Si)나노선과 접합을 하여 p-n 접합을 형성한다. 형성된 p-n 접합은 정류작용을 하는 다이오드 특성을 보이며, 자외선 입사시 전류 점멸비 (on/off ratio) $10^1{\sim}10^2$을 보이는 광다이오드(photodiode)로서 동작한다.

Keywords