Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers (한국전기전자재료학회)
권호 표지

Effect of thickness of GaAs buffer layer on the structural properties of CdTe films

GaAs 완충층을 사용한 CdTe박막의 성장 특성

  • Kim, Kwang-Chon (Department of Electronic Materials Center materials research center, Korea Institute of Science and Technology(KIST)) ;
  • Jung, Kyoo-Ho (Department of Electronic Materials Center materials research center, Korea Institute of Science and Technology(KIST)) ;
  • You, Hyun-Woo (Department of Electronic Materials Center materials research center, Korea Institute of Science and Technology(KIST)) ;
  • Yim, Ju-Hyuk (Department of Electronic Materials Center materials research center, Korea Institute of Science and Technology(KIST)) ;
  • Kim, Hyun-Jae (School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University) ;
  • Kim, Jin-Sang (Department of Electronic Materials Center materials research center, Korea Institute of Science and Technology(KIST))
  • 김광천 (한국과학기술연구원 재료연구본부 전자재료센터) ;
  • 정규호 (한국과학기술연구원 재료연구본부 전자재료센터) ;
  • 유현우 (한국과학기술연구원 재료연구본부 전자재료센터) ;
  • 임주혁 (한국과학기술연구원 재료연구본부 전자재료센터) ;
  • 김현재 (연세대학교 공과대학 전기전자공학부) ;
  • 김진상 (한국과학기술연구원 재료연구본부 전자재료센터)
  • Published : 2010.06.16
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Abstract

CdTe는 최근 적외선 검출기 개발에 응용하기 위해 활발한 연구가 진행 중인데 이는 HgCdTe(MCT)와 격자 불일치가 0.3% 이하로 대구경 단결정 MCT박막 제작이 용이하기 때문이다. 본 연구에서는 MBE 공정으로 GaAs 물질이 완충층으로 증착된 Si(100)기판을 사용하여 CdTe 물질과 Si기판간의 격자 불일치를 줄여 대면적 CdTe 단결정 박막을 얻고자 완충층의 두께별 결정성 및 표면 특성을 보았다. CdTe 박막의 증착은 Metal Organic Chemical Vapor Deposition system (MOCVD)를 이용하였고 실험결과 2nm의 GaAs 완충층이 사용된 박막에서 단결정 CdTe(400) 박막이 성장 되었으며, GaAs 완충층의 두께가 증가 함에 따라 $1{\mu}m$ 완충층에서는 다결정 박막이 성장 되었다. 본 연구결과는 Si 기판에 성장된 단결정 CdTe층을 이용 대면적 HgCdTe웨이퍼의 제조에 널리 이용 될 수 있으리라 여겨진다.

Keywords