Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)
- 2010.06a
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- Pages.195-195
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- 2010
Analysis of Ashing process effect for infrared absorption layer in u-Bolometer
u-bolometer에서 적외선 흡수층에 대한 Ashing 공정의 영향 분석
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Kang, Tai-Young
(OCAS Corp.)
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- Jang, Won-Soo (OCAS Corp.) ;
- Kim, Tae-Hyun (OCAS Corp.) ;
- Roh, Seung-Hyuck (OCAS Corp.) ;
- Lim, Tae-Ho (OCAS Corp.) ;
- Kim, Kyoung-Hwan (Kyoungwon University)
- Published : 2010.06.16
Abstract
본 연구에서 제작한 u-bolometer 은 적외선을 흡수하는 멤브레인이 a-Si 위에 Ti 메탈로 이루어져 있다. 이 u-bolometer 는 MEMS 센서로써 3차원 공진 구조를 제작하기 위해서는 희생층을 제거하는 공정이 필수적이며 이 희생 층으로 Polyimide를 사용하고 있는 공정에서 Plasma Ashing 공정은 더욱더 필수적이다. 이 Ashing 공정은 O2 플라즈마를 이용하며 이때 흡수물질인 Ti 레이어가 플라즈마에 의해 면저항과 흡수율의 특성이 어떻게 변화되는지 플라즈마 공정 전후를 분석한 결과 면저항의 변화가 나타났으며 uniformity도 높게 변화하였다. 또한 적외선 흡수율이 약 5% 차이가 나타나는 것을 확인 할 수 있었다.