Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference (한국진공학회:학술대회논문집)
- 2010.02a
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- Pages.234-234
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- 2010
Effect of hydrogen in Ni-silicide with Iodine Catalyst Deposited Ni Film by using Atomic Layer Deposition
- Gang, Hui-Seong ;
- Ha, Jong-Bong ;
- Kim, Gi-Won ;
- Kim, Dong-Seok ;
- Im, Gi-Sik ;
- Kim, Seong-Nam ;
- Lee, Gwang-Man ;
- Lee, Jeong-Hui
- 강희성 (경북대학교 전자전기컴퓨터학부) ;
- 하종봉 (경북대학교 전자전기컴퓨터학부) ;
- 김기원 (경북대학교 전자전기컴퓨터학부) ;
- 김동석 (경북대학교 전자전기컴퓨터학부) ;
- 임기식 (경북대학교 전자전기컴퓨터학부) ;
- 김성남 (경북대학교 전자전기컴퓨터학부) ;
- 이광만 (제주대학교 전자공학과) ;
- 이정희 (경북대학교 전자전기컴퓨터학부)
- Published : 2010.02.17
Abstract
최근 CMOS 소자 크기가 축소됨에 따라 소스와 드레인 영역에서의 접촉저항을 줄이기 위하여, 실리사이드 공정이 많이 연구되고 있다. 실리사이드 물질로서 NiSi는 낮은 저항률과 낮은 실리콘 소모, 낮은 공정온도, 등의 장점을 가지고 있다. 그러나, 실리사이드 형성으로 인한 나노소자의 소오스/드레인에서정션(junction) 누설전류의 증가는 큰 문제가 되므로 실리콘과 실리사이드 계면의 특성이 중요하다. 본 연구에서는 니켈을 이용한 실리사이드 형성시 계면 활성제인 에틸 요오드를 이용하여 실험을 진행하였다. 금속 유기 전구체인 MABONi을 사용하여 ALD 방식으로 증착 한 니켈 박막과 니켈 핵 형성시 계면활성제인 에틸요오드의 처리 방법에 따른 Ni-silicide 박막의 특성을 비교, 분석하였다. 먼저 자연산화막을 건식식각으로 제거한 뒤, 첫 번째 샘플에서는 10회의 주기로 초기 니켈을 증착한 뒤, 에틸요오드로 니켈의 표면 위를 처리하고, 다시 200회의 주기로 니켈을 증착하였으며, 두 번째는 첫 번째 방식에서 에틸요오드 주입 시 동시에 수소도 함께 주입하였다. 세 번째는 비교를 위해 에틸요오드 처리를 하지 않고 니켈 박막만을 증착 하였다. 이어서, 각 샘플을 급속 열처리 장비에서
Keywords