Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference (한국진공학회:학술대회논문집)
- 2010.02a
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- Pages.198-198
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- 2010
Zinc tin oxide 비정질 산화물 반도체 박막에 대한 Ga 도핑 영향
- Kim, Hye-Ri (KIMS) ;
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Kim, Dong-Ho
(KIMS) ;
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Lee, Geon-Hwan
(KIMS) ;
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Song, Pung-Geun
- Published : 2010.02.17
Abstract
산화물 반도체는 넓은 밴드갭을 가지고 있어 가시광에서 투명하며 높은 이동도로 디스플레이 구동 회로 집적에 유리하다. 또한 가격 및 공정 측면에서도 기존의 Si 기판 소자에 비해 여러 장점을 가지고 있어 차세대 디스플레이의 핵심 기술로 산화물반도체에 대한 관심이 높아지고 있다. 본 연구는 RF 동시 스퍼터링법을 이용하여 Zn-Sn-O 박막을 제조하고, 그 전기적, 광학적, 구조적 특성에 대해 조사하였다. 일정한 증착 온도(
Keywords