Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference (한국진공학회:학술대회논문집)
- 2010.02a
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- Pages.139-139
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- 2010
$SiO_2/Si_3N_4/SiO_2$ 와 $Si_3N_4/SiO_2/Si_3N_4$ 터널 장벽을 사용한 금속 실리사이드 나노입자 비휘발성 메모리소자의 열적 안정성에 관한 연구
- Lee, Dong-Uk ;
- Kim, Seon-Pil ;
- Han, Dong-Seok ;
- Lee, Hyo-Jun ;
- Kim, Eun-Gyu ;
- Yu, Hui-Uk ;
- Jo, Won-Ju
- 이동욱 (한양대 물리학과) ;
- 김선필 (한양대 물리학과) ;
- 한동석 (한양대 물리학과) ;
- 이효준 (한양대 물리학과) ;
- 김은규 (한양대 물리학과) ;
- 유희욱 (광운대학교 전자재료공학과) ;
- 조원주 (광운대학교 전자재료공학과)
- Published : 2010.02.17
Abstract
금속 실리사이드 나노입자는 열적 및 화학적 안정성이 뛰어나고, 절연막내에 일함수 차이에 따라 깊은 양자 우물구조가 형성되어 비휘발성 메모리 소자를 제작할 수 있다. 그러나 단일
Keywords