Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference (한국정보통신학회:학술대회논문집)
- 2010.05a
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- Pages.830-832
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- 2010
Current-voltage characteristics of the junction depth D-MOS using MicroTec Tool
MicroTec을 이용한 D-MOS 접합깊이에 따른 전류-전압 특성
- Kim, Seong-Jong (Department of Electronic Eng., Kunsan National University) ;
- Han, Ji-Hyeong (Department of Electronic Eng., Kunsan National University) ;
-
Jung, Hak-Kee
(Department of Electronic Eng., Kunsan National University)
;
-
Lee, Jong-In
(Department of Electronic Eng., Kunsan National University)
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-
Cheong, Dong-Soo
(Department of Electronic Eng., Kunsan National University)
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- Kwon, Oh-Sin (Department of Electronic Eng., Kunsan National University)
- 김성종 (군산대학교 전자공학과) ;
- 한지형 (군산대학교 전자공학과) ;
-
정학기
(군산대학교 전자공학과)
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-
이종인
(군산대학교 전자공학과)
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정동수
(군산대학교 전자공학과)
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- 권오신 (군산대학교 전자공학과)
- Published : 2010.05.27
Abstract
본 논문에서는 MicroTec을 이용하여 D-MOS(double-diffusion MOS) 트랜지스터의 접합깊이에 변화를 주어 그에 따른 전류-전압 특성 곡선을 분석하였다. D-MOS는 채널의 길이를 줄이고 높은 항복 전압을 얻기 위해 이중 확산 도핑을 하는 것을 특징으로 하며 연속적으로 확산 공정을 두 번 진행하여 채널 길이를 짧게 하고 이에 의해 고전압과 고전류를 인가할 수 있는 장점을 가진다. 본 연구에서는 D-MOS의 접합깊이에 변화를 주고 이에 따른 전류와 전압의 특성을 비교하여 분석하였다.
Keywords