한국신재생에너지학회:학술대회논문집
- 2010.06a
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- Pages.100.1-100.1
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- 2010
Influence of Carbon diffusion on the characterization of Si nanocrystals in SiC matrix
Carbon diffusion에 의한 SiC matrix 내의 실리콘 양자점 특성 분석
- Moon, Jihyun ;
- Kim, Hyunjong ;
- Cho, Jun Sik ;
- Park, Sang Hyun ;
- Yoon, Kyung Hoon ;
- Song, Jinsoo ;
- O, Byungsung ;
- Lee, Jeong Chul
- 문지현 (충남대학교) ;
- 김현종 (충남대학교) ;
- 조준식 (한국에너지기술연구원) ;
- 박상현 (한국에너지기술연구원) ;
- 윤경훈 (한국에너지기술연구원) ;
- 송진수 (한국에너지기술연구원) ;
- 오병성 (충남대학교) ;
- 이정철 (한국에너지기술연구원)
- Published : 2010.06.17
Abstract
고효율 실리콘 양자점 태양전지를 제작하기 위해 Si과 C target을 co-sputtering 방식으로 제조한 SiC matrix를 열처리하여 박막 내에 Si nanocrystal들을 생성하였다. Si nanocrystal의 특성은 다양한 요인에 영향을 받는 데 barrier 물질인 SiC matrix가 가장 큰 영향을 준다. SiC는 900도 이상에서 열처리하는 동안 Si과 C과 SiC으로 재배열 혹은 재결합하는 데 이 때 가장 작은 carbon이 빠르게 diffusion하는 현상에 의해 Si nanocrystal의 성장과 특성에 영향을 주게 된다. 이 현상을 연구하기 위해 stoichiometric SiC/Si-rich SiC/stoichiometric SiC의 3층 구조로 시료를 제작하여 이를 SIMS의 depth profiling을 통하여 열처리 전보다 열처리 후에 Si-rich SiC layer내에 carbon이 약 2~3%정도 증가한 것으로 carbon이 diffusion된 것을 확인하였다. 이 시료를 UV-VIS-NIR spectroscopy, Raman, GIXRD 등의 다양한 측정을 통하여 carbon diffusion에 의한 Si nanocrystal의 특성변화를 연구하였다.