Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference (한국표면공학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Surface Engineering (한국표면공학회)
권호 표지

Etching Characteristics of $TiO_2$ Thin Film in $BCl_3$/Ar Plasma

$BCl_3$/Ar 플라즈마에 따른 $TiO_2$ 박막의 식각 특성

  • 주영희 (중앙대학교 전자전기공학부) ;
  • 우종창 (중앙대학교 전자전기공학부) ;
  • 박정수 (중앙대학교 전자전기공학부) ;
  • 허경무 (중앙대학교 재생에너지학과) ;
  • 김창일 (중앙대학교 전자전기공학부)
  • Published : 2009.10.14
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Abstract

유도결합 플라즈마 (Inductively Coupled Plasma) 장비를 이용하여 각종 공정조건들에 따른 $TiO_2$의 식각 특성을 연구하였다. $BCl_3$/Ar 가스의 혼합비, 공정 압력 등을 공정 변수들로 정하였다. 공정 변수가 가스 혼합비일 경우 $BCl_3$ 가스의 비율이 25 % 일 경우 높은 식각률을 보였다. 또한 X-ray photoelectron spectroscopy를 이용하여 분석한 결과, $TiO_2$의 식각 메커니즘은 화학적인 영향보다는 물리적인 영향을 더 많이 받는다.

Keywords