Characteristics of Al-doped, Ga-doped or In-doped zinc-oxide films as transparent conducting electrodes in OLED

Al, Ga, In 을 첨가한 ZnO 박막을 사용하여 제작된 OLED 소자 특성

  • 박세훈 (부산대학교, 재료공학과) ;
  • 박지봉 (부산대학교, 재료공학과) ;
  • 송풍근 (부산대학교, 재료공학과)
  • Published : 2009.10.14

Abstract

AZO, GZO, ZIO 박막은 DC 마그네트론 법으로 각각의 소결체 타겟을 사용하여 유리 기판위에 증착되었다. 상온에서 증착된 GZO 박막의 경우 $1.61{\times}10^{-3}{\Omega}cm$ 의 가장 낮은 비저항을 나타내었다. 전기적 특성을 향상시키기 위하여 기판온도를 상승하였을 때 역시 GZO 박막이 가장 낮은 $6.413{\times}10^{-4}{\Omega}cm$ 을 나타내었다.

Keywords