Process window for infinitely high etch selectivity of TEOS oxide to PVD a-C in dual-frequency capacitively coupled $C_4F_8/CH_2F_2/O_2$/Ar plasmas

• 권봉수 (성균관대학교 신소재공학부) ;
• 김진성 (성균관대학교 신소재공학부) ;
• 안정호 (성균관대학교 신소재공학부) ;
• 박영록 (성균관대학교 신소재공학부) ;
• 정창룡 (성균관대학교 신소재공학부) ;
• 허욱 (성균관대학교 신소재공학부) ;
• 박지수 (성균관대학교 신소재공학부) ;
• 이내응 (성균관대학교 신소재공학부) ;
• 손종원 (주성엔지니어링(주))

• Gwon, Bong-Su ;
• Kim, Jin-Seong ;
• An, Jeong-Ho ;
• Park, Yeong-Rok ;
• Jeong, Chang-Ryong ;
• Heo, Uk ;
• Park, Ji-Su ;
• Lee, Nae-Eung ;
• Son, Jong-Won

• 발행 : 2009.08.19

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