이온빔 스퍼터링을 이용해 제작한 $SiO_2$/Zr dots/$SiO_2$ 구조의 비휘발성 메모리 특성

  • 홍승휘 (경희대학교 물리학과) ;
  • 김민철 (경희대학교 물리학과) ;
  • 최석호 (경희대학교 물리학과) ;
  • 김경중 (한국표준과학연구원 나노소재측정센터)
  • 발행 : 2009.08.19