한국신재생에너지학회:학술대회논문집
- 2009.06a
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- Pages.172-175
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- 2009
Interface Passivation Properties of Crystalline Silicon Wafer Using Hydrogenated Amorphous Silicon Thin Film by Hot-Wire CVD
열선 CVD법으로 증착된 비정질 실리콘 박막과 결정질 실리콘 기판 계면의 passivation 특성 분석
- Kim, Chan-Seok ;
- Jeong, Dae-Young ;
- Song, Jun-Yong ;
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Park, Sang-Hyun
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Cho, Jun-Sik
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Yoon, Kyoung-Hoon
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Song, Jin-Soo
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Kim, Dong-Hwan
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Yi, Jun-Sin
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Lee, Jeong-Chul
- 김찬석 (한국에너지기술연구원 태양광연구단) ;
- 정대영 (한국에너지기술연구원 태양광연구단) ;
- 송준용 (한국에너지기술연구원 태양광연구단) ;
-
박상현
(한국에너지기술연구원 태양광연구단) ;
-
조준식
(한국에너지기술연구원 태양광연구단) ;
-
윤경훈
(한국에너지기술연구원 태양광연구단) ;
-
송진수
(한국에너지기술연구원 태양광연구단) ;
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김동환
(고려대학교 신소재공학과) ;
-
이준신
(성균관대학교 전자통신공학부) ;
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이정철
(한국에너지기술연구원 태양광연구단)
- Published : 2009.06.25
Abstract
n-type crystalline silicon wafers were passivated with intrinsic a-Si:H thin films on both sides using HWCVD. Minority carrier lifetime measurement was used to verify interface passivation properties between a-Si:H thin film and crystalline Si wafer. Thin film interface characteristics were investigated depending on
Keywords