한국전기전자재료학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference)
- 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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- Pages.415-416
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- 2009
Engineered tunnel barrier가 적용되고 전화포획층으로 $HfO_2$ 를 가진 비휘발성 메모리 소자의 특성 향상
Enhancement of nonvolatile memory of performance using CRESTED tunneling barrier and high-k charge trap/bloking oxide layers
- 박군호 (광운대학교) ;
- 유희욱 (광운대학교) ;
- 오세만 (광운대학교) ;
- 김민수 (광운대학교) ;
- 정종완 (세종대학교) ;
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이영희
(광운대학교) ;
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정홍배
(광운대학교) ;
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조원주
(광운대학교)
- Park, Goon-Ho (Kwangwoon Univ.) ;
- You, Hee-Wook (Kwangwoon Univ.) ;
- Oh, Se-Man (Kwangwoon Univ.) ;
- Kim, Min-Soo (Kwangwoon Univ.) ;
- Jung, Jong-Wan (Sejong Univ.) ;
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Lee, Young-Hie
(Kwangwoon Univ.) ;
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Chung, Hong-Bay
(Kwangwoon Univ.) ;
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Cho, Won-Ju
(Kwangwoon Univ.)
- 발행 : 2009.06.18
초록
The tunnel barrier engineered charge trap flash (TBE-CTF) non-volatile memory using CRESTED tunneling barrier was fabricated by stacking thin