고효율 실리콘 태양전지 구현을 위한 SOD(Spin on doping) 공정 개발

SOD(Spin on doping) process for high efficiency silicon solar cell

  • Kim, Byeong-Guk (Department of Electronic Engineering, Chungju National University) ;
  • Lee, Seok-Jin (Department of Electronic Engineering, Chungju National University) ;
  • Jung, Tae-Hwan (Department of Electronic Engineering, Chungju National University) ;
  • Kim, Jung-Yeon (Department of Electronic Engineering, Chungju National University) ;
  • Park, Jae-Hwan (Department of Electronic Engineering, Chungju National University) ;
  • Lim, Dong-Gun (Department of Electronic Engineering, Chungju National University) ;
  • Yang, Kea-Joon (Department of Electronic Engineering, Chungju National University)
  • 발행 : 2009.06.18

초록

저가격 고효율 실리콘 태양전지를 구현하기 위하여 핵심적으로 적용되는 공정인 SOD(Spin on Doping) 확산공정 최적화에 관하여 연구하였다. n-type 도핑 물질로는 인(P509)을 사용하였으며, Spinning 속도와 Spinning 시간을 각 3000 rpm, 30 초로 고정하고 급속 열처리로에서 확산 온도와 확산 시간을 $800\;^{\circ}C\;{\sim}\;950\;^{\circ}C$, 2 분에서 20 분까지 가변하며 확산공정을 실시하였다. 4-Point Probe 장비로 에미터 표면 저항을 측정한 결과 확산 온도 $850\;^{\circ}C$에서 5분간 열처리 하여 확산 공정을 하였을 때 저가의 고효율 실리콘 태양전지를 구현하는데 적용 하기위한 $30\;{\sim}\;50\;{\Omega}$-sq의 에미터 표면 저항을 만족 시키는 $36\;{\Omega}$-sq의 값을 얻을 수 있었다.

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