Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)
- 2009.06a
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- Pages.241-242
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- 2009
Effect of duty ratio on refractive index silicon nitride films deposited by using a pulsed $SiH_4-N_2$ plasma
Pulsed $SiH_4-N_2$ 플라즈마를 이용하여 증착한 SiN 박막 굴절률에의 Duty ratio의 영향
- Kwon, Min-Ji (Sejong Univ.) ;
- Kim, Byung-Whan (Sejong Univ.)
- Published : 2009.06.18
Abstract
펄스-플라즈마를 이용하여 상온에서 실리콘나이트라이드 박막을 제조하였다. 증착 중에 이온에너지 분석기를 이용하여 이온에너지와 이온에너지, flux를 측정하였다. Duty ratio는 30~90%까지 변화시키면서, 이온에너지와 굴절률의 관계를 연구하였다. Duty ratio의 감소에 따라 이온에너지는 증가하였다. 낮은 Duty ratio의 범위에서 이온에너지 flux의 변화가 현저하였다. 굴절율은 Duty ratio의 변화에 따라 복잡하게 변화하였지만