Sol-Gel법에 의해 제조된 ZnO 투명전도막의 특성

Al이 doping된 ZnO 투명전도막을 fusion 1737 기판위에 Sol- Gel법으로 제조하였다. 제조된 Sol은 48시간 이상 숙성하여 안정화 시킨 다음, 박막을 제조하여 doping한 Al의 at%에 따른 박막의 전기, 광학적 특성을 조사하였다. XRD 측정 결과 순수한 ZnO Sol로 제조된 박막의 경우보다 0.75at%의 Al을 첨가하였을 때 가장 강한 peak intensity를 얻을 수 있었으며, 또한 0.75at% 첨가 시 순수한 ZnO 투명전도막보다 3~4order 정도 낮은 비저항을 나타내었다. 광투과율은 Al의 첨가량에 관계없이 90%를 넘는 높은 값을 나타내었다.