Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)
- 2009.11a
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- Pages.58-58
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- 2009
Insulator룰 후속처리한 a-IGZO TFT의 전기적특성 분석
- Published : 2009.11.12
Abstract
gate로 ITO가 150nm의 두께로 coating된 Glass위에 절연막인 SiNx를 각각