Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers (한국전기전자재료학회)
권호 표지

Insulator룰 후속처리한 a-IGZO TFT의 전기적특성 분석

  • 나관영 (성균관대학교 정보통신공학부) ;
  • 노용한 (성균관대학교 정보통신공학부)
  • Published : 2009.11.12
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Abstract

gate로 ITO가 150nm의 두께로 coating된 Glass위에 절연막인 SiNx를 각각 $150^{\circ}C$와 $200^{\circ}C$로 RTA한 후 channel layer 로 IGZO를 sputtering 하였다. 그 후 전극으로 Al을 evaporation 하였고 이렇게 만든 소자의 I-V 특성과 Transfer 분석을 통해 mobility, Threshold voltage등의 변화를 관찰하여 Insulator의 열처리가 IGZO TFT의 특성에 어떠한 효과를 주는지 분석하였다.

Keywords