Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference (한국표면공학회:학술대회논문집)
- 2009.05a
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- Pages.247-247
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- 2009
Diagnostics of Pulsating Plasma Etching Process Using Langmuir Probe Measurement and Optical Emission Spectroscopy
Abstract
3차원 반도체 패키징에서 관통전극 Through Silicon Via (TSV)를 형성하기 위하여 이온과 래디컬의 활성도 조절이 가능한 pulsating inductively coupled plasma (ICP) 식각을 수행하였다. 본 식각공정에서는 펄스주파수 (
Keywords