한국표면공학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference)
- 한국표면공학회 2009년도 춘계학술대회 논문집
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- Pages.173-174
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- 2009
증착 온도 변화에 따라 성장시킨 Ga-doped ZnO 박막의 특성평가
- 발행 : 2009.05.27
초록
증착 온도를 변화시켜 성장시킨 Ga-doped ZnO 박막을 수소 열처리를 통해 구조적 전기적 광학적 성질을 기존의 투명 전극으로 사용되는 ITO (indium tin oxide) 물질을 대체할 수 있는 가능성을 확인하였다. 열처리 전 Ga-doped ZnO 박막의 증착온도가 증가함에 따라 전기적 성질이 향상되었지만 423 K 이상의 온도에서는 과잉 dopant인 Ga 으로 인한 기여도가 커져
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