Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference (한국표면공학회:학술대회논문집)
- 2008.11a
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- Pages.38-38
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- 2008
Study on the Possible Ohmic Mechanisms of the In/In2O3:Sn p-type contacts for GaN-based Light-emitting Diodes
질화갈륨계 발광다이오드용 p형 인듐/인듐주석산화물 박막 전극의 오믹메커니즘에 대한 연구
- O, Jun-Ho ;
- Hong, Hyeon-Gi ;
- Kim, Gyeong-Guk ;
- Byeon, Gyeong-Jae ;
- Lee, Heon ;
- Yun, Sang-Won ;
- An, Jae-Pyeong ;
- Jeon, Jun-U ;
- Jeong, Se-Yeon ;
- Seong, Tae-Yeon
- 오준호 (고려대학교, 신소재공학과) ;
- 홍현기 (고려대학교, 신소재공학과) ;
- 김경국 (삼성종합기술원) ;
- 변경재 (고려대학교, 신소재공학과) ;
- 이헌 (고려대학교, 신소재공학과) ;
- 윤상원 (한국과학기술원 특성분석센터) ;
- 안재평 (한국과학기술원 특성분석센터) ;
- 전준우 (고려대학교, 신소재공학과) ;
- 정세연 (고려대학교, 신소재공학과) ;
- 성태연 (고려대학교, 신소재공학과)
- Published : 2008.11.19
Abstract
질화갈륨계 발광다이오드는 차세대 반도체 조명용 및 기타 광전소자 등에의 응용 가능성 때문에 주목을 받고 있다. 본 발표에서는 발광다이오드용 In/ITO 전극이 p-형 질화갈륨과 열처리 후 오믹접촉을 이루는 메커니즘을 설명한다.
Keywords