Characteristics of a-plane GaN buffer layers on r-plane sapphire substrate grown by metal-organic chemical vapor deposition

  • 송후영 (한양대학교 물리학과) ;
  • 김은규 (한양대학교 물리학과) ;
  • 김재범 (전자부품연구원 에너지나노소재연구센터) ;
  • 황성민 (전자부품연구원 에너지나노소재연구센터)
  • Published : 2008.08.20