Ultrathin-Body (UTB) Strained-Si-on-Insulator (sSOI)에서 채널두께에 MOSFET 따른 전자이동도 변화

• 김관수 (광운대학교 전자재료공학과) ;
• 최철종 (한국전자통신연구원) ;
• 정종완 (세종대학교 나노신소재공학부) ;
• 조원주 (광운대학교 전자재료공학과)

• Kim, Gwan-Su ;
• Choe, Cheol-Jong ;
• Jeong, Jong-Wan ;
• Jo, Won-Ju

• 발행 : 2008.02.14

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