한국전기전자재료학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference)
- 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
- /
- Pages.210-211
- /
- 2008
600V급 SiC MOSFET 특성 Simulation
Simulation Characteristics of 600V SiC MOSFET Devices
- 김상철 (한국전기연구원 고집적전원연구그룹) ;
- 주성재 (한국전기연구원 고집적전원연구그룹) ;
- 강인호 (한국전기연구원 고집적전원연구그룹) ;
- 방욱 (한국전기연구원 고집적전원연구그룹) ;
- 김남균 (한국전기연구원 고집적전원연구그룹)
- Kim, Sang-Cheol (Korea Electrotechnology Research Institute) ;
- Joo, Sung-Jae (Korea Electrotechnology Research Institute) ;
- Kang, In-Ho (Korea Electrotechnology Research Institute) ;
- Bahng, Wook (Korea Electrotechnology Research Institute) ;
- Kim, Nam-Kyun (Korea Electrotechnology Research Institute)
- 발행 : 2008.06.19
초록
탄화규소를 이용한 600V급 MOSFET 소자 제작을 위하여 특성 simulation을 수행하였다. 600V 내압을 얻기 위해서 불순물 농도가 1E16/cm3이고 에피층의 두께가 6um인 상용 탄회규소 웨이퍼를 기준으로 하였으며 TRIM simulation을 사용하여 P-body의 retrograde profile을 구하고 이를 이용하여 소자의 전기적 특성을 simulation 하였다. P-body의 표면 농도를 5E16/cm3 에서 1E18/cm3으로 변화시키면서 소자의 전기적 특성을 예측하였으며 실험 결과와 비교하여 특성 변수를 추출하였다.