Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)
- 2008.06a
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- Pages.99-99
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- 2008
Growth of Large GaN Substrate with Hydride Vapor Phase Epitaxy
HVPE법에 의해 대구경 GaN 기판 성장
- Kim, Chong-Don (Analysis Research Group, Samsung Coming Precision Co. Ltd.) ;
- Ko, Jung-Eun (Analysis Research Group, Samsung Coming Precision Co. Ltd.) ;
- Jo, Chul-Soo (Analysis Research Group, Samsung Coming Precision Co. Ltd.) ;
- Kim, Young-Soo (Analysis Research Group, Samsung Coming Precision Co. Ltd.)
- 김정돈 (삼성코닝 정밀유리, 분석연구 그룹) ;
- 고정은 (삼성코닝 정밀유리, 분석연구 그룹) ;
- 조철수 (삼성코닝 정밀유리, 분석연구 그룹) ;
- 김영수 (삼성코닝 정밀유리, 분석연구 그룹)
- Published : 2008.06.19
Abstract
To grow the large diameter GaN with high structure and optical quality has been obtained by hydride vapor phase epitaxy(HVPE) method. In addition to the nitridation of
대구경, 고품질 GaN 단결정 기판은 HVPE 방법을 이용하여 제조하였다. 이때 성장 방법은 기판인
Keywords